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BSF050N03LQ3 G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3000pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：3-WDSON; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：MG-WDSON-2，CanPAK M?; 包裝：剪切帶 (CT)

BSF050N03LQ3 G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3000pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：3-WDSON; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：MG-WDSON-2，CanPAK M?; 包裝：Digi-Reel®

BSF050N03LQ3 G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3000pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：3-WDSON; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：MG-WDSON-2，CanPAK M?; 包裝：帶卷 (TR)

BSF050N03LQ3 G供應(yīng)商

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CMF5530R000FKRE39
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 30 OHM 1/2W 1% AXIAL
BRC1608TR35M
固定式 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） INDUCTOR 0.35UH 1.4A 20% SMD
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